Pin Descriptions
Pin Number
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Pin Name
V CC(L)
COM
IN (UL)
IN (VL)
IN (WL)
V FO
C FOD
C SC
IN (UH)
V CC(UH)
V B(U)
V S(U)
IN (VH)
V CC(VH)
V B(V)
V S(V)
IN (WH)
V CC(WH)
V B(W)
V S(W)
N U
N V
N W
U
V
W
P
Pin Description
Low-Side Common Bias Voltage for IC and IGBTs Driving
Common Supply Ground
Signal Input for Low-Side U-Phase
Signal Input for Low-Side V-Phase
Signal Input for Low-Side W-Phase
Fault Output
Capacitor for Fault Output Duration Selection
Capacitor (Low-pass Filter) for Short-Circuit Current Detection Input
Signal Input for High-Side U-Phase
High-Side Bias Voltage for U-Phase IC
High-Side Bias Voltage for U-Phase IGBT Driving
High-Side Bias Voltage Ground for U-Phase IGBT Driving
Signal Input for High-Side V-Phase
High-Side Bias Voltage for V-Phase IC
High-Side Bias Voltage for V-Phase IGBT Driving
High-Side Bias Voltage Ground for V-Phase IGBT Driving
Signal Input for High-Side W Phase
High-Side Bias Voltage for W-Phase IC
High-Side Bias Voltage for W-Phase IGBT Driving
High-Side Bias Voltage Ground for W-Phase IGBT Driving
Negative DC-Link Input for U-Phase
Negative DC-Link Input for V-Phase
Negative DC-Link Input for W-Phase
Output for U-Phase
Output for V-Phase
Output for W-Phase
Positive DC-Link Input
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB15CH60F Rev. C6
3
www.fairchildsemi.com
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FSBB20CH60C 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60CL 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60CT 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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